4．目前和未来的的内存
目前在市场上还是SDRAM占统治地位，是目前的主流内存。但是随着内存技术蓬勃发展，几个大厂商都在加紧自己新型内存技术的发展，其中尤以RDRAM和DDR的较量最为激烈，可以预料未来将是RDRAM和DDR的天下。
下面将分别介绍这几种内存。
SDRAM：SDRAM（Synchronous DRAM）的中文名字是“同步动态随机存储器”，这就是目前主推的PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64bit，3.3
V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它是与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
DDR SDRAM：又简称DDR，是“双倍速率SDRAM”的意思，由于它可以在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/S。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些（约为10%左右）。
RDRAM：Direct Rambus DRAM（DRDRAM）“接口动态随机存储器”，这是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16bit，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2÷8=1.2GB/S，若是两个通道，就是2.4GB/S。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。DRDRAM要求RIMM中必须都插满，空余的插槽中必须插上传接板（也叫终结器）。