内存储器在电脑中起着举足轻重的作用，内存储器一般分为：随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）和高速缓存（CACHE），其中RAM是最重要的存储器，我们通常所说的内存就是系统中的RAM，内存主要存放CPU需要处理和已经处理的数据，也就是说内存是衔接CPU同其它设备数据交换的桥梁。一般来说人们听到“内存”这两个字第一反应就是一块小小的长方形电路板，上面焊接着几个芯片，下方还有金色引脚（俗称金手指)，但是很多人都不会在意ROM和CACHE等也都属于内存一族。
从内存的发展来看主要是以下一些内存在市场上有比较不错的表现：
FPA（FAST PAGE MODE）RAM快速页面模式随机存取存储器：这是较早的电脑系统普通使用的内存，它每个三个时钟脉冲周期传送一次数据。
EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM扩展数据输出随机存取存储器：EDO内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，他每个两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大地缩短了存取时间，是存储速度提高30%。EDO一般是72脚，目前已经被SDRAM所取代。
S（SYSNECRONOUS）DRAM同步动态随机存取存储器：是目前主推的PC 100和PC
133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存
DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM双倍速率RAM：由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向，也将是VIA推广PC 266标准的重要支柱内存。
RDRAM（RAMBUS DRAM）存储器总线式动态随机存取存储器：RDRAM是RAMBUS公司开发的具有系统带宽，芯片到芯片接口设计的新型DRAM，他能在很高的频率范围内通过一个简单的总线传输数据。它同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。INTEL在其820及850芯片组产品中加入对RDRAM的支持。
VCM（Virtual Channel Memory）虚拟通道存储器：VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM
SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。
当然在了解了一些内存的基本情况后，我们来看看一些我们常见的同内存有关的术语：
时钟周期
时钟周期是一个时间的量，一般规定10纳秒（ns）为一个时钟周期。时钟周期表示了SDRAM所能运行的最高频率。更小的时钟周期就意味着更高的工作频率。对于PC100规格的内存来说，它的运行时钟周期应该不高于10纳秒。纳秒与工作频率之间的转换关系为：1000/时钟周期=工作频率。例如，标称10纳秒的PC100内存芯片，其工作频率的表达式就应该是1000/100 = 100MHZ，这说明此内存芯片的额定工作频率为100MHZ。目前市场上一些质量优秀的内存通常可以工作在比额定频率高的频率下，这为一些喜欢超频的朋友带来了极大的方便。例如KingMAX的PC133内存，此类内存多采用8纳秒的芯片，相对于其100MHZ的频率来说，频率提高的余地还很大，许多用户都可以让它们工作在133MHZ甚至更高的频率下。能不能超频使用很大程度上反应了内存芯片以及PCB板的质量。不过，仅仅凭借时钟周期来判断内存的速度还是不够的，内存CAS的存取时间和延迟时间也在一定程度上决定了内存的性能。